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インテル、超低消費電力を可能にする製造プロセス技術を開発

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　インテルは、65nm（ナノ・メートル）のロジック用製造プロセス技術の派生技術として、超低消費電力を可能にするプロセス技術を開発していると発表した。これにより、モバイル・プラットフォームや小型機器に利用できる非常に消費電力の低い半導体チップを製造できるという。

　この超低消費電力を可能にするプロセス技術は、インテルの65nmプロセス技術をベースにした2つ目のプロセス技術となる。1ナノ・メートルは1メートルの10億分の1で、65nmプロセス技術では、現在の90nmプロセス技術の2倍のトランジスタを1チップに集積できる。

　チップの消費電力を削減する要因の1つは、トランジスタ設計の改良だ。具体的には、微細なトランジスタが、オフの状態においてもリーク電流によって電力を損失することを防ぐことが求められる。

　インテルの超低消費電力65nmプロセス技術においては、この目的のために、いくつかの重要なトランジスタの改良が施されたという。それらの改良によって、トランジスタのリーク電流の主因となる3つの要素、サブ・スレッシュホールド・リーク電流、ジャンクション・リーク電流、そしてゲート酸化膜リーク電流を大幅に削減した。この技術で製造された試作チップでは、標準的なプロセス技術に比べ、リーク電流が約1,000倍削減されたとしている。

《小笠原陽介》

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