インテル、プロセッサの発熱や消費電力を抑える新材料を採用した半導体技術を発表
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米インテルは7日（現地時間）、新しい材料の採用により、非常に高速でありながら極めて消費電力の低いトランジスタの、プロトタイプ開発に成功したと発表した。このトランジスタは、マイクロプロセッサなどのロジック製品の基盤となるもので、今後5〜10年先を目安に登場する予定だとしている。
新材料はアンチモン化インジウム（元素記号：InSb）で、インテルと英キネティックの研究者は共同でInSbを採用したエンハンスメント・モードのトランジスタで電流が流れることを示したという。今回発表されたトランジスタのプロトタイプは、以前に発表されたトランジスタに比べ、高速で動作するのに加え消費電力も削減されており、インテルでは、「シリコンを補完するこの新材料を用いて、ムーアの法則をさらに延長できると考えています」とコメントしている。
インテルとキネティックの研究者は以前に、チャネル部にInSbを採用したトランジスタを発表しているが、今回発表されたプロトタイプのゲート長は85nmで、これまでに公表されている同様のトランジスタに比べ、半分以下へと小型化されているのが特徴となっている。またインテルでは、エンハンスメントモードで動作するトランジスタのデモが公開されたのは今回が初めてだとしている。
マイクロプロセッサなどのロジック製品のほとんどは、エンハンスメントモードのトランジスタを採用しているが、今回発表のトランジスタは、現在の半導体トランジスタの約半分にあたる約0.5Vの低電圧動作が可能なため、消費電力を大幅に抑えた半導体を実現できるという。
新材料はアンチモン化インジウム（元素記号：InSb）で、インテルと英キネティックの研究者は共同でInSbを採用したエンハンスメント・モードのトランジスタで電流が流れることを示したという。今回発表されたトランジスタのプロトタイプは、以前に発表されたトランジスタに比べ、高速で動作するのに加え消費電力も削減されており、インテルでは、「シリコンを補完するこの新材料を用いて、ムーアの法則をさらに延長できると考えています」とコメントしている。
インテルとキネティックの研究者は以前に、チャネル部にInSbを採用したトランジスタを発表しているが、今回発表されたプロトタイプのゲート長は85nmで、これまでに公表されている同様のトランジスタに比べ、半分以下へと小型化されているのが特徴となっている。またインテルでは、エンハンスメントモードで動作するトランジスタのデモが公開されたのは今回が初めてだとしている。
マイクロプロセッサなどのロジック製品のほとんどは、エンハンスメントモードのトランジスタを採用しているが、今回発表のトランジスタは、現在の半導体トランジスタの約半分にあたる約0.5Vの低電圧動作が可能なため、消費電力を大幅に抑えた半導体を実現できるという。
《村上幸治》
