NEC、銅配線をルテニウム被覆することで微細化LSI配線の抵抗増大を抑制する配線材料技術
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日本電気(NEC)は4日、配線中の界面電子散乱を抑制することによりCu（銅）配線の低抵抗化を実現する配線材料技術「低電子散乱配線」を開発した。
同技術は、結晶配列を制御したRu（ルテニウム）でCu配線をコーティングしてCu結晶の高品位化をはかることで、配線内に流れる電子の界面散乱を抑制するというもの。この技術を実現するにあたり、結晶配列を制御しながらRu界面保護膜を成長させる高真空スパッタプロセスとRu界面保護層上にCu膜を成長させる直接電解メッキ成長プロセスが開発された。また、Cu配線と結晶格子の整合性を従来のTa（タンタル）界面保護膜の18%から6%にまで改善し、低抵抗化を実現している。
同社は、同技術を利用することで最先端LSI配線の微細化による細線効果からCu配線抵抗が増大するという問題を本質的に解決できるとしている。
同技術は、結晶配列を制御したRu（ルテニウム）でCu配線をコーティングしてCu結晶の高品位化をはかることで、配線内に流れる電子の界面散乱を抑制するというもの。この技術を実現するにあたり、結晶配列を制御しながらRu界面保護膜を成長させる高真空スパッタプロセスとRu界面保護層上にCu膜を成長させる直接電解メッキ成長プロセスが開発された。また、Cu配線と結晶格子の整合性を従来のTa（タンタル）界面保護膜の18%から6%にまで改善し、低抵抗化を実現している。
同社は、同技術を利用することで最先端LSI配線の微細化による細線効果からCu配線抵抗が増大するという問題を本質的に解決できるとしている。
《富永ジュン》
