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富士通研究所、32nm世代以降のロジックLSI向けの高信頼性多層配線技術を開発

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開発した多層配線構造
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　富士通研究所と富士通は12日に、32ナノメートル（以下、nm）世代以降のロジックLSI向け技術として、マンガンを添加した銅配線と、超薄膜のバリアメタルを用いることにより、信頼性の高い多層配線を実現する技術を開発したことを発表した。

　45nm世代までのLSIで用いられるCu配線は、Cuを保護するためにバリアメタルで周りが覆われているが、32nm世代のような微細なCu配線に対してバリアメタルの占める割合が大きくなると、配線抵抗が増加してしまうため、信頼性の確保が難しかった。

　この新技術では、超薄膜のバリアメタル上にマンガン（Mn）を添加したCu配線を形成することで3分の1に薄膜化し、配線抵抗の低減と高信頼性の確保を両立させることに成功した。従来技術と比べて配線抵抗を効果的に低減するとともに、LSIの配線における経年劣化の要因となる「エレクトロマイグレーション」（銅原子の移動による空孔発生現象）に対する耐性を従来の47倍に向上させ、32nm世代に要求される配線抵抗と信頼性の確保とを両立させることが可能とのこと。

　なお、米国ワシントンD.C.で12月10日から開催されている半導体の国際学会「IEDM」（International Electron Devices Meeting）にて本技術の発表が行われている。

《冨岡晶》

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