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日立と米IBM、32nm以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を共同で実施

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　日立製作所と米IBMは10日、32ナノメートル以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を2年間にわたって共同で行うことで合意した。

　今回の発表により、微細化によって発生するトランジスタのばらつきの特性や計測方法の向上、およびデバイス物理学の理解を深めるために半導体デバイス、および構造を分析する新しい評価方法を使った32ナノメートル以降の半導体に関する基礎研究が共同で行われることとなる。また、共同研究は、日立ハイテクノロジーズの技術者が米国ニューヨーク州ヨークタウン・ハイツにあるIBMのワトソン研究所、および同州アルバニーにあるニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設で行われる。

《富永ジュン》

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