フリースケール、最新RFパワー・プロセス技術を発表〜高いPAR信号時の優れた電力効率を低価格で実現

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2009.2.20（金）15:58

　米フリースケール・セミコンダクタは現地時間16日、スペイン・バルセロナにて開催中の「Mobile World Congress 2009」において、次世代のLDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor：横方向拡散金属酸化半導体）RFパワー・トランジスタを発表した。

　フリースケールの第8世代（HV8）RFパワーLDMOS技術を使ったもので、W-CDMAやWiMAXなどの高データ・レート・アプリケーションに加えて、最新規格標準であるLTEやマルチキャリアGSMなどにも対応する。HV8技術に基づくデバイスは、デジタル・プリディストーション（DPD）と併用されるドハティ技術を含めて、最新のパワー・アンプ・アーキテクチャの処理に最適化されるという。

　HV8技術は、送信電力効率を高めることで基地局システムの総合的な消費電力を抑制し、その結果として運用コストを削減可能とするとのことで、第1弾として発表される製品の電力レベル範囲は100W〜300Wとなる予定。HV8製品は700MHz〜2.7GHzの主要な周波数帯域に対応し、マルチキャリアGSMアプリケーション向けに設計された2つのMRF8S9260H/HSトランジスタを採用した対称型ドハティ・リファレンス・デザインは、49.4dBm（87W）の平均出力電力レベルおよび良好な広帯域リニアリティという条件で、58.0dBm（630W）のピーク・パワー、16.3dBのゲイン、および42.5％のドレイン効率を達成したとのこと。MRF8S9260H、MRF8S9170N、MRF8S9200N、およびMRF8P9300Hのトランジスタでも同様の結果が得られたという。

《冨岡晶》