SiCおよびGaNパワー半導体市場：エネルギー効率型エレクトロニクスの原動力
SiCおよびGaNパワー半導体市場は、電気自動車（EV）、データセンター、コンシューマーエレクトロニクス分野におけるエネルギー効率向上への世界的な需要拡大を背景に、爆発的な成長期を迎えています。これらのワイドバンドギャップ材料が、高出力・高周波用途において従来のシリコンに取って代わる中、業界では積極的な生産能力拡大と戦略的統合の波が進行しており、市場は急速に進化しています。
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市場規模と成長軌道
世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場に関する調査レポートによると、市場は2025年から2035年にかけて年平均成長率（CAGR）23.1％で成長し、2035年末までに市場規模が118億米ドルに達すると予測されています。2025年の市場規模は16億米ドルと評価されました。
グローバル市場の意思決定スナップショット
技術移行は、以下のように捉えることができます。
シリコン → ワイドバンドギャップ材料 → SiC / GaNデバイス → スイッチング効率の向上 → 電力システムの小型化 → 電動化・AI主導型インフラ
最近の市場予測は、市場の定義が異なるため大きなばらつきがありますが、方向性は一貫しています。SiCとGaNは、最も急速に拡大しているパワー半導体技術の一つです。 2026年の予測の一つでは、両技術を合わせた市場規模は2026年に25.3億米ドルとなり、2034年には161.7億米ドルに達すると予測されています。一方、より広範なパワーデバイスの定義に基づく別の予測では、2025年に54.8億米ドル、2032年には135.2億米ドルに達するとされています。
主要なビジネスインサイト
SiCとGaNは同一の技術として扱うべきではありません： SiCは高電圧・高出力用途でより強いポジションを有する一方、GaNは高周波かつ小型化された電力変換設計において優位性を発揮します。
EVは引き続きSiCの主要な成長機会： トラクションインバーター、車載充電器、DC急速充電システムでは、低損失、高効率、高い電力密度といったSiCのメリットを活用できます。
AIデータセンターが新たなパワーエレクトロニクス需要の中心に： コンピューティング能力の急速な向上に伴い、効率的な電力変換が必要となっており、高密度電源や関連インフラにおけるワイドバンドギャップデバイスの需要拡大につながる機会が生まれています。
200mm SiC製造が戦略的に重要： 大口径ウェハーは製造経済性を改善し、デバイス生産量の拡大を支える可能性があります。一方で、歩留まり、基板の供給可能性、製造装置の対応状況は、引き続き重要な競争要因となります。
競争の焦点は上流工程へ移行： デバイス性能だけが重要なのではありません。基板、エピタキシャル成長、ウェハー加工、パッケージング、認証・品質評価、製造能力などが、商業的な競争力を左右する重要な要素となっています。
市場セグメンテーションと主要成長要因
ワイドバンドギャップ半導体市場は、主にSiCとGaNという2つの主要材料に分けられ、それぞれ異なる性能領域および用途領域を占めています。
シリコンカーバイド（SiC）― 高電圧分野のリーダー：
SiCセグメントは、2025年に64.8％の支配的な市場シェアを占めました。高電圧・高温用途における優れた性能により、SiCは電気自動車（EV）のパワートレインおよび充電インフラ向け材料として最適な選択肢となっています。自動車業界は依然としてSiC最大の消費分野であり、より長い航続距離と高速充電を求めるEV市場の拡大が需要を牽引しています。
窒化ガリウム（GaN）― 高周波分野の主役：
GaNセグメントは、高周波かつ小型用途への適合性を背景に、年平均成長率（CAGR）12.4％で成長すると予測されています。GaNは、コンシューマーエレクトロニクス（急速充電器）、データセンター用電源、通信インフラ分野で広く採用されており、高周波で効率的にスイッチングできる特性により、小型・軽量・高電力密度システムの実現を可能にしています。
課題：供給、コスト、競争
明るい市場見通しがある一方で、業界は大きな課題にも直面しています。従来のシリコンと比較した場合のSiCおよびGaNの高い初期コストは、特に中小企業にとって普及拡大の障壁となっています。また、世界的なサプライチェーンも大きな混乱を経験しました。米国のSiCウェハメーカー Wolfspeed は2025年半ばに破産申請を行い、9月に再建を果たすまで業界に大きな衝撃を与えました。
さらに、特に中国の新興SiCメーカー群との激しい競争により、価格圧力が高まっています。これにより、ダイコスト削減および規模の経済性向上を目的として、150mm（6インチ）ウェハから200mm（8インチ）ウェハへの移行が加速しています。
主要企業と戦略的動向
競争環境は、統合デバイスメーカー（IDM）と専門ファウンドリ企業の混在によって形成されており、各社は戦略的提携を通じて市場シェア獲得を競っています。
SiC市場の主要企業：
Infineon Technologies
STMicroelectronics
onsemi
Wolfspeed
Rohm
BYD Semiconductor
GaN市場の主要企業：
Infineon（GaN Systems）
Navitas（GeneSiC）
Innoscience
Power Integrations
Efficient Power Conversion（EPC）
こちらから調査レポートをご覧ください@ https://www.kdmarketinsights.jp/report-analysis/sic-and-gan-power-semiconductors-market/760
最近の業界動向では、垂直統合化への流れが顕著になっています。象徴的な出来事として、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company（TSMC）がGaN市場から撤退し、それに伴い新たな提携が相次いで成立しました。GlobalFoundries は TSMC のGaN技術ライセンスを取得し、その後、GaN開発企業である Navitas および Cambridge GaN Devices（CGD）との協業契約を締結しました。同様に、STMicroelectronics は中国のGaN大手 Innoscience と開発・製造契約を締結しています。
将来展望
SiCおよびGaNパワー半導体市場の将来は、エネルギー転換と密接に結びついています。SiCは高電圧EV分野で引き続き主導的地位を維持し、シリコンとのコスト競争力実現に向けて200mmウェハへの移行を進めていく見通しです。一方、GaNはコンシューマーエレクトロニクスを超えて自動車市場へ拡大すると予想されており、データセンターおよびEVにおける800Vアーキテクチャが大きな新規機会を生み出しています。さらに、垂直GaN（vGaN）や300mm GaN-on-silicon技術の登場により、さらなる高密度化と低コスト化が期待されています。性能向上と量産効果によるコスト低下が進む中、SiCおよびGaNは、より効率的で持続可能な世界の電力インフラを支える中核技術になると見込まれています。
配信元企業：ＫＤマーケットインサイツ株式会社
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