東芝/サムスン、NAND型フラッシュメモリインターフェースの相互使用許諾で合意
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東芝と韓国サムスン電子は3日、それぞれ販売する携帯機器向けコントローラ内蔵NAND型フラッシュメモリ製品のインターフェース仕様や商標に関する相互使用許諾に合意したと発表。互いの仕様を適用した新製品を2008年中の市場投入を目指す。
今回の合意内容は、東芝が販売するコントローラを内蔵した組み込みメモリである大容量NAND型フラッシュメモリ製品「LBA-NANDTM」や「mobileLBA-NANDTM」のインターフェースに関する仕様や商標をサムスン電子に使用許諾し、サムスン電子はその代わりに「OneNANDTM」や「Flex-OneNANDTM」を東芝に許諾するというもの。
これにより、東芝は「OneNANDTM」や「Flex-OneNANDTM」、サムスン電子は「LBA-NANDTM」や「mobileLBA-NANDTM」の生産、販売がそれぞれ可能となり、携帯機器向けNAND型フラッシュメモリ製品のラインアップが強化される。
今回の合意内容は、東芝が販売するコントローラを内蔵した組み込みメモリである大容量NAND型フラッシュメモリ製品「LBA-NANDTM」や「mobileLBA-NANDTM」のインターフェースに関する仕様や商標をサムスン電子に使用許諾し、サムスン電子はその代わりに「OneNANDTM」や「Flex-OneNANDTM」を東芝に許諾するというもの。
これにより、東芝は「OneNANDTM」や「Flex-OneNANDTM」、サムスン電子は「LBA-NANDTM」や「mobileLBA-NANDTM」の生産、販売がそれぞれ可能となり、携帯機器向けNAND型フラッシュメモリ製品のラインアップが強化される。
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