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Lightning+USBのデュアルコネクタ搭載メモリ「i-Memory UE710」 画像

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東芝、世界初となる256ギガビット3次元フラッシュメモリの製品化を発表 画像

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インテルとマイクロン、不揮発性メモリを最大1,000倍高速化する新技術を開発 画像

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設定した“寿命”どおりに自動的にデータが壊れるメモリシステム、中央大が開発 画像

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ブロードバンド
サンディスク、Type-Cコネクタ搭載のデュアルUSBメモリ発売へ 画像

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IT・デジタル
世界初の48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを東芝が開発 画像

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エンタープライズ
サンディスク、Lightningコネクタ備えたUSBフラッシュメモリ 画像

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Lightningコネクタ搭載のフラッシュメモリ「Gmobi iStick」を9月1日に発売 画像

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