東芝、32GB容量の組み込み式NAND型フラッシュメモリなど2シリーズ14製品を発表

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2008.8.7（木）17:25

　東芝は7日、携帯電話やビデオカメラなどの携帯機器向けに32GB容量の組み込み式NAND型フラッシュメモリなどを発表した。9月よりサンプル出荷、2008年第4四半期より量産を開始する。

　今回発表された32GB容量の製品は、標準の小型パッケージに43nmプロセスによる32GB NANDチップ8枚のコントローラチップを納めた制御機能付きメモリ。JEDEC/MMCA Ver.4.3やSDA Ver.2.0に準拠したコントローラを内蔵し、書込ブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアといったNAND型フラッシュメモリの制御機能をユーザーが開発する必要がない。

　新製品のラインナップは以下の通り。e-MMCはトータルで月産100万個、eSDはトータルで月産50万個が予定されている。

○ e-MMC
サンプル出荷量産時期
THGBM1G8D8EBAI2（32GB） 2008年10月 2008年4Q
THGBM1G7D8EBAI0（16GB） 2008年9月 2008年4Q
THGBM1G7D4EBAI2（16GB） 2008年4Q 2008年4Q
THGBM1G6D4EBAI4（8GB） 2008年9月 2008年4Q
THGBM1G5D2EBAI7（4GB） 2008年10月 2008年4Q
THGBM1G4D1EBAI7（2GB） 2008年4Q 2009年1Q
THGBM1G3D1EBAI8（1GB） 2008年4Q 2009年1Q

○ eSD
サンプル出荷量産時期
THGVS4G8D8EBAI2（32GB） 2008年9月 2008年4Q
THGVS4G7D8EBAI0（16GB） 2008年9月 2008年4Q
THGVS4G7D4EBAI2（16GB） 2008年4Q 2008年4Q
THGVS4G6D4EBAI4（8GB） 2008年9月 2008年4Q
THGVS4G5D2EBAI4（4GB） 2008年4Q 2008年4Q
THGVS4G4D1EBAI4（2GB） 2008年4Q 2009年1Q
THGVS4G3D1EBAI8（1GB） 2009年1Q 2009年1Q

《富永ジュン》