東芝、モバイル機器向けに大容量128GBのNAND型フラッシュメモリを製品化

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2010.6.17（木）14:45

　東芝は17日、組込み式として業界最大容量をうたう128GBのNAND型フラッシュメモリ「THGBM2T0DBFBAIF」を製品化したと発表。9月から順次サンプル出荷を開始し、10～12月期（第4四半期）から量産し始めるという。

　同社では2009年12月に、32nmのプロセス技術を用いた64GBの組込み式NAND型フラッシュメモリの製品化を発表していた。今回はこの64GBのNAND型フラッシュメモリを採用すると同時に、厚さ30マイクロメートルのチップ薄厚化技術やチップ多段積層技術を駆使。64GBチップ16枚とコントローラチップ1枚の計17枚を、17×22×1.4mmの小型パッケージに封止した。これにより、組込み式のNAND型フラッシュメモリでは業界最大容量128GBの製品化に成功したという。

　また、インターフェースは「JEDEC e・MMC Ver. 4.4」規格に準拠しており、NAND型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理/エラー訂正/ドライバーソフトウェアなど）をユーザーが開発する手間を省いた。そのため、ユーザー側の開発負荷の軽減や、開発期間の短縮にもつながるという。

　NAND型フラッシュメモリは、SSDやUSBフラッシュメモリ、メモリカードなどの記憶装置として使用されており、今回の製品はスマートフォンやデジタルビデオカメラなどのモバイル機器向けに開発。128GBに大容量化としたことで、ビットレートが約17Mbpsのハイビジョン画質で16.6時間、同約7Mbpsのスタンダード画質で38.4時間、同約416Kbpsのワンセグでは645時間の映像データの記録を可能とした。

　なお、今回は同時に64GB「THGBM2G9D8FBAIF」も発表。8月から順次サンプル出荷を開始し、10～12月期（第4四半期）から量産化するとのこと。

　両製品共通でおもな仕様として、電源電圧は、メモリコアが2.7～3.6V、インターフェースが1.65V～1.95V/2.7V～3.6V。バス幅はx1/x4/x8。書込み速度は、シーケンシャル/SDRモードとシーケンシャル/DDRモードがともに21MB/秒。読出し速度は、シーケンシャル/SDRモードが46MB/秒、シーケンシャル/DDRモードが55MB/秒。

《加藤》