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SPEED TEST
NTT、世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発……より薄いLED作製などに期待 3枚目の写真・画像
エンタープライズ
ハードウェア
2012.4.12(木) 12:30
層状BN上への高品質GaN薄膜の積層(技術のポイント)
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