NTT、世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発……より薄いLED作製などに期待 3枚目の写真・画像 | RBB TODAY
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NTT、世界初のGaN系半導体剥離プロセスを開発……より薄いLED作製などに期待 3枚目の写真・画像

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層状BN上への高品質GaN薄膜の積層（技術のポイント）
層状BN上への高品質GaN薄膜の積層（技術のポイント）

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