“未来の磁気メモリ”につながる成分を新発見……東大物性研、産総研ら 1枚目の写真・画像 | RBB TODAY

“未来の磁気メモリ”につながる成分を新発見……東大物性研、産総研ら 1枚目の写真・画像

エンタープライズ ハードウェア

模式的に表した3値メモリ。電気分極方向が120度異なる3つの状態を表現できる
模式的に表した3値メモリ。電気分極方向が120度異なる3つの状態を表現できる

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