SanDisk、64ギガビットを実現するフラッシュメモリ発表〜 4ビット／セル（X4）技術を採用

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2009.2.18（水）11:12

　米SanDisk（サンディスク）は、世界初の高性能4ビット／セル（X4）のフラッシュメモリの量産を開始すると発表した。10日にカリフォルニア州サンフランシスコで開催されたISSCC国際会議で発表されたもの。

　このメモリはSaDiskのMLC（マルチレベルセル）技術を基盤として、43ナノメートル（nm）プロセス技術によって製造されるもので、業界最大となる64ギガビット（Gb）容量がシングルダイで実現可能となる。X4コントローラチップとX4メモリチップを組み合わせてマルチ・チップ・パッケージ（MCP）とし、低コストのストレージソリューションを統合された完全な形で提供するという。このX4コントローラは、特別にストレージシステム向けに開発されたエラー訂正コード（ECC）方式を初めて採用し、4ビット／セルに必要となる16レベルの分布に適応した作りとなっている。この64ギガビットのX4チップは、2009年上半期から生産が開始される予定とのこと。

　なお同社は東芝と共同で43ナノメートル技術による64ギガビットのフラッシュメモリ・チップを開発。データの書き込み速度は7.8MB／秒で、現行のMLC技術に匹敵する見込みだ。両社は2009年のISSCCにおいて、43ナノメートル技術ノードによる64ギガビット4ビット／セルNAND型フラッシュメモリの開発を実現させた主要な技術的進展について説明する技術論文を発表した。サンディスクは、1年前に2008年半導体国際学会でX3（3ビット／セルNAND）技術を発表しており、それに続く今回の発表は、2009年ISSCC「Lewis Winner Outstanding Paper Award」を受賞したとのこと。

《冨岡晶》