インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始
エンタープライズ
ハードウェア
注目記事
-
【デスクツアー】真似したい自宅デスク環境一挙公開！
-
MeeGo、来年にはバージョン1.2を公開――インテル マーク・スカープネス氏
-
Intelの2010年第2四半期決算、過去最高の売上高108億ドルを記録
/
両社のNANDフラッシュメモリ合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって設計された64Gb（8Gバイトと同等）製品向け25nmプロセス技術による露光技術は、従来の1メモリ・セル当り1ビット（シングルレベル・セル）や2ビット（マルチレベル・セル）の情報ではなく、3ビットの情報を記憶する“トリプルレベル・セル”（TLC）を実現した。この新製品は、現在市場で最小の25nmプロセス技術を採用したインテルとマイクロンのシングルチップ8GB多値セル（MLC）製品と同じメモリ容量を集積しながら、20％以上の小型化を実現したという。ダイ・サイズは131平方ミリメートルで、業界標準のTSOP（薄型スモール・アウトライン・パッケージ）で提供される。
25nmプロセス技術を採用した新しい64Gb（ギガ・ビット）の3ビット／セルNAND型フラッシュメモリは、USBメモリ、SDカードなどのストレージに投入される予定。両社は、一部の顧客を対象に製品のサンプル出荷を開始しており、2010年内の量産出荷を予定している。
《冨岡晶》
特集
この記事の写真
/
