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インテルとマイクロン、25nmプロセス技術採用3ビット/セルNAND型フラッシュメモリのサンプル出荷開始

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25nmトリプルレベル・セルのダイ
25nmトリプルレベル・セルのダイ 全 2 枚
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　米インテルとマイクロン テクノロジーは現地時間17日、業界で最大容量・最小のNAND製品となる、25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用した3ビット／セルNAND型フラッシュメモリの出荷を発表した。

　両社のNANDフラッシュメモリ合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって設計された64Gb（8Gバイトと同等）製品向け25nmプロセス技術による露光技術は、従来の1メモリ・セル当り1ビット（シングルレベル・セル）や2ビット（マルチレベル・セル）の情報ではなく、3ビットの情報を記憶する“トリプルレベル・セル”（TLC）を実現した。この新製品は、現在市場で最小の25nmプロセス技術を採用したインテルとマイクロンのシングルチップ8GB多値セル（MLC）製品と同じメモリ容量を集積しながら、20％以上の小型化を実現したという。ダイ・サイズは131平方ミリメートルで、業界標準のTSOP（薄型スモール・アウトライン・パッケージ）で提供される。
　
　25nmプロセス技術を採用した新しい64Gb（ギガ・ビット）の3ビット／セルNAND型フラッシュメモリは、USBメモリ、SDカードなどのストレージに投入される予定。両社は、一部の顧客を対象に製品のサンプル出荷を開始しており、2010年内の量産出荷を予定している。

《冨岡晶》

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