インテルとマイクロン、業界最小の20nmプロセス技術NAND型フラッシュメモリを発表
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米インテル コーポレーションとマイクロン テクノロジー社は現地時間14日、NAND型フラッシュメモリーの製造に利用される、20nm（ナノメートル）プロセス技術を発表した。20nmプロセス技術は、8Gバイト（GB）の多値セル（MLC）NAND型フラッシュメモリを実現する見込みだ。
20nmプロセス技術による8GBの新しいNANDフラッシュメモリの面積は約118平方ミリ。これは、インテルとマイクロン両社の従来の25nmプロセス技術に基づく8GB NAND型フラッシュメモリと比較して、ボード面積で30～40％の削減になる（パッケージの種類によって異なる）。フラッシュ・ストレージの占有面積の縮小により、スマートフォン、タブレット端末、ソリッド・ステート・ドライブ （SSD） などのコンピューティング機器で、システム・レベルの設計自由度が向上するという。
20nmプロセス技術に基づく8GBのNANDフラッシュメモリは、インテルとマイクロンの合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって製造される予定。20nmプロセス技術を採用した8GB製品は14日よりサンプル出荷を開始し、2011年後半期に量産出荷される予定。なおインテルとマイクロンは、最大128GBの容量のSSDを設計できる16GB製品のサンプル出荷も予定している。
20nmプロセス技術による8GBの新しいNANDフラッシュメモリの面積は約118平方ミリ。これは、インテルとマイクロン両社の従来の25nmプロセス技術に基づく8GB NAND型フラッシュメモリと比較して、ボード面積で30～40％の削減になる（パッケージの種類によって異なる）。フラッシュ・ストレージの占有面積の縮小により、スマートフォン、タブレット端末、ソリッド・ステート・ドライブ （SSD） などのコンピューティング機器で、システム・レベルの設計自由度が向上するという。
20nmプロセス技術に基づく8GBのNANDフラッシュメモリは、インテルとマイクロンの合弁会社であるIMフラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって製造される予定。20nmプロセス技術を採用した8GB製品は14日よりサンプル出荷を開始し、2011年後半期に量産出荷される予定。なおインテルとマイクロンは、最大128GBの容量のSSDを設計できる16GB製品のサンプル出荷も予定している。
《冨岡晶》
