同製品は、ECC搭載によるエラー訂正処理機能と24nmプロセスルールを適用したNAND型フラッシュメモリ。現行製品と比較して、読み出しで最大1.9倍、書き込みで最大1.5倍の高速性を実現した。
NANDアクセスは4タイプの読み出しモード(Normal Read/Faster Read/Pre-Read/Silent Read)、2タイプの書き込みモード(Normal Write/Faster Write)を備え、搭載アプリケーションのスピード要求状況に応じた選択が可能。動作電流低減のオプションとして、「パワーセーブモード」も装備している。また、汎用的なNANDインターフェースの採用により、従来製品からの置き換えが容易だとした。
48 pin TSOP、52 land LGAの2ラインアップをそろえ、本体サイズは48 pin TSOPが幅12×高さ20×奥行き1.2mm、52 land LGAが幅14×高さ18×奥行き1mm。